IGBT est le dispositif de base de l’onduleur photovoltaïque, qui a de vastes perspectives d’application: l’onduleur photovoltaïque est l’équipement de base de la production d’énergie photovoltaïque, sa fonction principale est de convertir le courant continu produit par les modules de cellules solaires en courant alternatif, de les intégrer dans le réseau électrique ou de les utiliser pour la charge. IGBT est composé de BJT (Transistor bipolaire) et MOS (transistor à effet de champ de porte isolant), qui est un dispositif semi – conducteur de puissance à commande complète de tension. Il présente les avantages d’une impédance d’entrée élevée de MOSFET et d’une faible chute de tension de conduction de GTR. Il s’agit d’un dispositif de commutation idéal dans le domaine de l’électronique de puissance. IGBT a un grand avantage par rapport à MOSFET dans l’onduleur photovoltaïque en raison de ses caractéristiques de courant de marche élevé, de haute tension de résistance, d’entraînement de tension et ainsi de suite. Il a progressivement remplacé MOSFET comme élément central de l’onduleur photovoltaïque. Le développement rapide de la nouvelle industrie de la production d’énergie deviendra une nouvelle puissance pour la croissance continue de l’industrie IGBT.
La nouvelle capacité installée photovoltaïque continue d’augmenter, ce qui stimule la croissance de la demande d’IGBT: en 2021, la nouvelle capacité installée photovoltaïque de la Chine atteindra 54,88gw, en hausse de 13,9% par rapport à l’année précédente, et la capacité installée cumulée de la production nationale d’énergie photovoltaïque atteindra 306gw, avec un taux de croissance de 21,01%. Selon les données mensuelles de répartition de l’administration de l’énergie, en janvier 2022, la nouvelle capacité photovoltaïque installée en Chine était de 7,38 GW, en hausse de 212% d’une année sur l’autre, dont 4,69 GW distribués, en hausse de 252% d’une année sur l’autre, 2,68 GW centralisés, en hausse de 160% d’une année sur l’autre. L’Association chinoise de l’industrie photovoltaïque prévoit que la nouvelle capacité photovoltaïque installée en Chine atteindra 75 – 90 GW en 2022. De 2022 à 2025, la nouvelle capacité photovoltaïque installée annuelle moyenne de la Chine atteindra 83 – 99gw. L’augmentation continue de la nouvelle capacité photovoltaïque installée entraînera une augmentation de la demande d’IGBT. Selon l’enquête industrielle, la valeur de l’IGBT dans l’onduleur photovoltaïque est d’environ 20 – 30 millions de yuan / GW. En ce qui concerne le stockage de l’énergie, avec l’itération de la technologie de stockage de l’énergie et la réduction des coûts, le taux de croissance de la capacité installée de stockage de l’énergie s’accélère. Le rapport IHS markit montre que l’échelle annuelle des nouveaux onduleurs de stockage d’énergie connectés au réseau devrait atteindre 10,6 GW d’ici 2025, et l’application des onduleurs de stockage d’énergie ouvrira davantage le marché de l’IGBT.
Les géants étrangers monopolisent l’industrie de l’IGBT photovoltaïque et les fabricants chinois rattrapent rapidement: le développement rapide des fabricants chinois d’onduleurs photovoltaïques offre davantage de possibilités d’application de produits pour le remplacement de l’IGBT domestique. Selon les statistiques solaredge, en 2018, la part de marché de Huawei sur le marché mondial des onduleurs a atteint 22%, se classant au premier rang mondial, et selon le rapport annuel Sungrow Power Supply Co.Ltd(300274) 2020, Pour la première fois depuis 2015, le volume des expéditions de la société a dépassé celui de la société européenne qui s’est classée au premier rang mondial pour des années consécutives et a été vendu en vrac à plus de 150 pays et régions, dont l’allemagne, l’italie, l’australie, les États – Unis, le Japon et l’inde. En tant qu’élément central de l’onduleur photovoltaïque, IGBT est actuellement monopolisé par des entreprises étrangères et l’offre et la demande de produits chinois sont gravement déséquilibrées. Le 13e Plan quinquennal de développement économique et social national propose de promouvoir vigoureusement l’innovation et l’industrialisation dans les nouveaux domaines de pointe, tels que les semi – conducteurs avancés, et les entreprises chinoises s’efforcent activement d’accélérer la recherche et le développement.
Suggestions d’investissement: il est recommandé de prêter attention aux Starpower Semiconductor Ltd(603290) , Zhuzhou Crrc Times Electric Co.Ltd(688187) , Wuxi Nce Power Co.Ltd(605111) , Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) , China Resources Microelectronics Limited(688396) , Macmic Science & Technology Co.Ltd(688711) , Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.Ltd(300373) .
Indice de risque: la capacité installée photovoltaïque est inférieure au risque prévu; Les ventes d’onduleurs photovoltaïques ont été inférieures aux prévisions; Le développement du produit n’est pas aussi bon que prévu
