L’avantage de performance du carbure de silicium est remarquable et l’échelle du marché croît rapidement.
La performance limite d’utilisation du substrat de carbure de silicium est meilleure que celle du substrat de silicium, qui peut répondre aux exigences d’application à haute température, haute tension, haute fréquence et haute puissance. Actuellement, le substrat de carbure de silicium a été utilisé dans les dispositifs de radiofréquence et les dispositifs de puissance. Avec l’explosion de la demande en aval, la taille du marché des dispositifs SiC passera de 4,3 milliards de dollars américains à 8,9 milliards de dollars américains d’ici 2022 – 2026, avec un taux de croissance composé de 20%. La taille correspondante du marché des substrats SiC est passée de 700 millions de dollars à 1,7 milliard de dollars, soit un taux de croissance composé de 25%.
Demande: l’application de la chaîne industrielle en aval a éclaté, et le dividende de la demande du marché du SIC nous a permis de diviser le développement des dispositifs du SIC en trois étapes: 2019 – 2021 est la phase initiale, 2022 – 2023 est la phase d’inflexion et 2024 – 2026 est la phase d’éclosion. Sic a connu une croissance explosive de la demande à mesure qu’elle s’est développée dans des domaines d’application tels que les nouveaux véhicules énergétiques, l’infrastructure de recharge, les stations de base 5G, l’industrie et l’énergie. Parmi eux, les véhicules énergétiques sont le marché qui connaît la croissance la plus rapide pour les applications de dispositifs SiC. La taille du marché devrait passer de 1,6 milliard de dollars américains à 4,6 milliards de dollars américains en 2022 – 2026, avec un taux de croissance composé de 30%.
Offre: la chaîne industrielle à court terme limite la capacité des substrats et l’expansion à long terme de la capacité entraîne une baisse des prix. La chaîne industrielle du marché du carbure de silicium est principalement divisée en quatre parties, à savoir la fabrication de substrats de plaquettes, la production de plaquettes épitaxiques, la recherche et le développement de dispositifs en carbure de silicium et l’essai d’emballage d’équipement, qui représentent respectivement 50%, 25%, 20% et 5% du coût total du marché. En raison de la complexité du processus de croissance des cristaux et de la difficulté Les coûts de fabrication des substrats de carbure de silicium ont été élevés. À l’heure actuelle, l’application de substrats de haute qualité se concentre principalement sur les trois principaux fournisseurs de wolfspeed, II – VI et Rohm, avec une part de marché de Cr3 de plus de 80%. Le rendement, la qualité et l’efficacité de production des produits des fabricants de substrats représentés par les fabricants chinois sont encore loin. À court terme, l’amont de la chaîne industrielle des dispositifs de moyenne et de haute puissance est principalement contrôlé par le substrat Cr3. En outre, avec l’augmentation progressive de Cr3, la proportion de matériaux utilisés par eux – mêmes augmente. L’augmentation de la capacité de production s’accompagne d’une offre limitée sur le marché et d’une offre globale serrée. Selon les données de wolfspeed, on s’attend à ce que la capacité de production atteigne 167000 à 242 pieds carrés en 2022 et 2024, respectivement, et à ce que 850000 et 1 230000 comprimés correspondant à 6 pouces soient convertis. On estime que les ventes mondiales de 6 pouces en 2022 et 2024 se situeront respectivement entre 1,7 et 2,5 millions de comprimés.
La percée nationale en carbure de silicium s’accélère et ouvre des possibilités d’investissement à moyen et à long terme
IDM est le principal mode d’exploitation à l’étranger sur le marché du carbure de silicium. Les fabricants chinois de substrats sont Tianyue Advanced (principalement des substrats isolants), tianke Heda (principalement des substrats conducteurs), CETC (scintillation), Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) , Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical Co.Ltd(300316) ; En ce qui concerne les films épitaxiques: hantiancheng, Dongguan Tianyu et CETC ont tous terminé la recherche et le développement et la production de films épitaxiques en carbure de silicium de 3 à 6 pouces. Dispositifs: Starpower Semiconductor Ltd(603290) body, Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) introduce SiC MOSFET Power Devices and modules; X – FAB est la plus grande usine de fabrication de Wafers et dessert 80 à 90% des fabricants de carbure de silicium sans Wafers. Hanlei et jita ont considérablement augmenté leurs dépenses en capital pour accroître la capacité de SiC; IDM: Sanan Optoelectronics Co.Ltd(600703)
Indice de risque: le taux de rendement du carbure de silicium et des dispositifs est inférieur aux attentes; La demande en aval est inférieure aux attentes;
