Le SiC présente des caractéristiques électriques supérieures et devrait devenir l’un des matériaux semi-conducteurs les plus prometteurs. Les matériaux pour semi-conducteurs sont situés dans la partie la plus en amont de la chaîne de l’industrie des semi-conducteurs, appartenant à l’industrie de soutien à la fabrication et au conditionnement des puces, qui est le segment le plus subdivisé de la chaîne de l’industrie des semi-conducteurs. Ces dernières années, le marché mondial des matériaux semi-conducteurs n’a cessé de croître, et le développement des matériaux semi-conducteurs est passé par trois étapes en termes de séquence de recherche et d’application à grande échelle. Parmi eux, la troisième génération de semi-conducteurs représentée par le SiC, avec une résistance à la tension élevée, une résistance à la température élevée, une faible perte d’énergie et d’autres performances supérieures, peut répondre aux nouvelles exigences de la technologie de l’électronique de puissance en matière de résistance à la température élevée, à la puissance élevée, à la pression élevée, à la fréquence élevée et aux radiations et à d’autres conditions de travail difficiles, devrait devenir l’un des matériaux les plus prometteurs dans le domaine des matériaux semi-conducteurs.
La chaîne industrielle du SiC comprend la préparation des matériaux de substrat SiC en amont, la croissance de la couche épitaxiale en milieu de chaîne, la fabrication de dispositifs et les marchés d’application en aval. Du point de vue des applications en aval, les substrats de SiC peuvent être divisés en substrats semi-isolants et substrats conducteurs, où les substrats de SiC semi-isolants sont principalement utilisés pour fabriquer des dispositifs RF à micro-ondes pour la communication 5G, les radars et d’autres domaines de demande à haute fréquence, et les substrats conducteurs sont utilisés pour fabriquer des dispositifs de puissance pour les véhicules à énergie nouvelle, la production d’énergie photovoltaïque et d’autres domaines de demande à haute tension. Ces dernières années, les dispositifs de puissance SiC ont émergé dans les applications en aval, de l’électronique grand public traditionnelle, du contrôle industriel, de la transmission de puissance, des ordinateurs, du transport ferroviaire et d’autres domaines, aux véhicules à énergie nouvelle, au stockage de décors, à l’Internet des objets, à l’informatique en nuage et au big data et à d’autres applications émergentes, où le développement rapide des véhicules à énergie nouvelle, du photovoltaïque et d’autres domaines apporte une demande incrémentielle de SiC, ce qui entraîne la croissance continue de l’industrie du carbure de silicium. L’industrie est en pleine croissance. Selon les prévisions de Yole, la taille du marché mondial du SiC atteindra 2,560 milliards de dollars d’ici 2025, avec un taux de croissance composé pouvant atteindre 29,53 % de 2019 à 2025.
Soutien politique + réduction des coûts, le remplacement domestique du carbure de silicium devrait s’accélérer. Ces dernières années, le pays a mis en place des politiques visant à encourager le développement et l’innovation de l’industrie du SiC, associées à l’évolution des substrats SiC vers de grandes tailles, améliorant efficacement le taux d’utilisation des matériaux, ainsi qu’à l’amélioration continue des tiges de cristal et des rendements des substrats, le coût de production futur des dispositifs SiC devrait continuer à baisser, et devrait avoir l’avantage du premier remplacement dans les scénarios de haute tension. À l’heure actuelle, les fabricants étrangers occupent l’avantage du premier arrivé dans le domaine du carbure de silicium, les entreprises chinoises sont encore au stade initial, la technologie continue de rattraper son retard tandis que la capacité de production continue de grimper, avec les entreprises chinoises pour accélérer le processus de validation des produits, les fabricants en aval continuent d’améliorer le degré de reconnaissance, les entreprises étrangères et les entreprises chinoises ont un écart relativement étroit, le remplacement national avec un large espace de marché.
Stratégie d’investissement : les caractéristiques électriques du carbure de silicium sont supérieures, les véhicules à énergie nouvelle en aval, le photovoltaïque et d’autres domaines pour stimuler la croissance de l’industrie, les entreprises leaders actuelles à l’étranger ont un avantage de premier plan, les fabricants nationaux accélèrent la vérification, l’espace de remplacement national est large. Il est recommandé de prêter attention à la disposition de la chaîne de l’industrie chinoise du carbure de silicium des principales entreprises, telles que Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical Co.Ltd(300316) , Sanan Optoelectronics Co.Ltd(600703) , Zhuzhou Crrc Times Electric Co.Ltd(688187) , Starpower Semiconductor Ltd(603290) , etc.
Risques : la baisse des coûts n’est pas celle attendue, ce qui entraîne un ralentissement de la pénétration, une concurrence accrue dans le secteur, etc. Points forts de l’investissement.
